IRF7779L2TR1PBF

廠家：: International Rectifier
封裝：: DirectFET? 等距 L8
數量：: 2169
說明：: MOSFET 150V 67A 11mOhm 97nC Qg

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IRF7779L2TR1PBF PDF參數資料

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中文參數如下：

工廠包裝數量：1000
上升時間：19 ns
功率耗散：125 W
柵極電荷 Qg：97 nC
正向跨導 gFS（最大值/最小值）：83 S
下降時間：12 ns
包裝形式：Reel
封裝形式：Direct-FET L8
安裝風格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 175 C
配置：Single
電阻汲極/源極 RDS（導通）：9 mOhms
漏極連續電流：67 A
閘/源擊穿電壓：20 V
汲極/源極擊穿電壓：150 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：是
制造商：International Rectifier

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