IRF7811WPBF

廠家：: International Rectifier
封裝：: SOIC-8
數量：: 3079
說明：: MOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 12mOhms 15.6nC

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IRF7811WPBF PDF參數資料

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中文參數如下：

典型關閉延遲時間：29 ns
上升時間：11 ns
功率耗散：3.1 W
最小工作溫度：- 55 C
柵極電荷 Qg：15.6 nC
下降時間：9.9 ns
包裝形式：Tube
封裝形式：SOIC-8
安裝風格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 150 C
配置：Single Quad Drain Triple Source
電阻汲極/源極 RDS（導通）：12 mOhms
漏極連續電流：14 A
閘/源擊穿電壓：12 V
汲極/源極擊穿電壓：30 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：是
制造商：International Rectifier

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