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IRF7821TRPBF-1

廠家：
  Infineon Technologies
封裝：
 8-SOIC
數量：
 3636  
說明：
 MOSFET N-CH 30V 13.6A 8SO
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IRF7821TRPBF-1-8-SOIC圖片

IRF7821TRPBF-1 PDF參數資料

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中文參數如下：
：-55°C ~ 155°C（TJ）
功率耗散（最大值）：2.5W（Ta）
FET 功能：-
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）：1010 pF @ 15 V
Vgs（最大值）：±20V
不同 Vgs 時柵極電荷?(Qg)（最大值）：14 nC @ 4.5 V
不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）：1V @ 250μA
不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值）：9.1 毫歐 @ 13A，10V
驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
25°C 時電流 - 連續漏極 (Id)：13.6A（Ta）
漏源電壓（Vdss）：30 V
技術：MOSFET（金屬氧化物）
FET 類型：N 通道
產品狀態：停產
包裝：HEXFET?
系列：卷帶（TR）
品牌：Infineon Technologies

以上是IRF7821TRPBF-1的詳細信息，包括IRF7821TRPBF-1廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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