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中文參數(shù)如下:
:
封裝封裝/外殼:8-SOIC(0.154",3.90mm 寬)
安裝類型:表面貼裝型
工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ)
功率 - 最大值:1.4W,2W
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)(最大值):910pF @ 15V
不同 Vgs 時柵極電荷?(Qg)(最大值):11nC @ 4.5V
不同 Id 時 Vgs(th)(最大值):2.25V @ 25μA
不同 Id、Vgs 時導(dǎo)通電阻(最大值):16.2 毫歐 @ 7.6A,10V
25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id):7.6A,11A
漏源電壓(Vdss):30V
FET 功能:邏輯電平門
配置:2 個 N 通道(半橋)
技術(shù):MOSFET(金屬氧化物)
產(chǎn)品狀態(tài):停產(chǎn)
包裝:HEXFET?
系列:卷帶(TR)
品牌:Infineon Technologies
以上是IRF7904TRPBF-1的詳細(xì)信息,包括IRF7904TRPBF-1廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!