IRF9389PBF

廠家：: Infineon Technologies
封裝：: 8-SO
數量：: 2475
說明：: MOSFET N/P-CH 30V 6.8A/4.6A 8-SO

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IRF9389PBF PDF參數資料

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中文參數如下：
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封裝封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）
安裝類型：表面貼裝型
工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）
功率 - 最大值：2W
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）：398pF @ 15V
不同 Vgs 時柵極電荷?(Qg)（最大值）：14nC @ 10V
不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）：2.3V @ 10μA
不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值）：27 毫歐 @ 6.8A，10V
25°C 時電流 - 連續漏極 (Id)：6.8A，4.6A
漏源電壓（Vdss）：30V
FET 功能：邏輯電平門
配置：N 和 P 溝道
技術：MOSFET（金屬氧化物）
產品狀態：Digi-Key 停止提供
包裝：HEXFET?
系列：管件
品牌：Infineon Technologies

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