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中文參數如下:
FET 型:MOSFET P 通道,金屬氧化物
FET 特點:標準型
開態Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:280 毫歐 @ 5.6A, 10V
漏極至源極電壓(Vdss):50V
電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C:9.7A
Id 時的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs:26nC @ 10V
在 Vds 時的輸入電容(Ciss) :480pF @ 25V
功率 - 最大:40W
安裝類型:通孔
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