IRFB9N65A

廠家：: Vishay/Siliconix
封裝：: TO-220AB
數量：: 3690
說明：: MOSFET N-Chan 650V 8.5 Amp

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IRFB9N65A PDF參數資料

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中文參數如下：

典型關閉延遲時間：34 ns
工廠包裝數量：1000
上升時間：20 ns
功率耗散：167 W
最小工作溫度：- 55 C
下降時間：18 ns
包裝形式：Tube
封裝形式：TO-220AB
安裝風格：Through Hole
最大工作溫度：+ 150 C
配置：Single
電阻汲極/源極 RDS（導通）：0.92 Ohms
漏極連續電流：8.5 A
閘/源擊穿電壓：+/- 30 V
汲極/源極擊穿電壓：650 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：否
產品種類：MOSFET
制造商：Vishay

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