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IRFD123

廠家：: Vishay/Siliconix
封裝：: HexDIP-4
數量：: 6129
說明：: MOSFET N-Chan 100V 1.3 Amp

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IRFD123 PDF參數資料

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中文參數如下：

典型關閉延遲時間：18 ns
工廠包裝數量：2500
上升時間：27 ns
功率耗散：1300 mW
最小工作溫度：- 55 C
下降時間：27 ns
包裝形式：Tube
封裝形式：HexDIP-4
安裝風格：Through Hole
最大工作溫度：+ 150 C
配置：Single Dual Drain
電阻汲極/源極 RDS（導通）：270 mOhms
漏極連續電流：1.3 A
閘/源擊穿電壓：+/- 20 V
汲極/源極擊穿電壓：100 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：否
產品種類：MOSFET
制造商：Vishay

以上是IRFD123的詳細信息，包括IRFD123廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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