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中文參數如下:
工廠包裝數量:2500
功率耗散:1 W
柵極電荷 Qg:11 nC
包裝形式:Tube
封裝形式:HD-1
安裝風格:Through Hole
配置:Single
電阻汲極/源極 RDS(導通):1.2 Ohms
漏極連續電流:- 0.6 A
汲極/源極擊穿電壓:- 60 V
晶體管極性:P-Channel
RoHS:否
產品種類:MOSFET
制造商:Vishay
以上是IRFD9113的詳細信息,包括IRFD9113廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!