IRFH5010TR2PBF

廠家：: International Rectifier
封裝：: 8-PowerVDFN
數量：: 6633
說明：: MOSFET MOSFT 100V 100A 9.0mOhm 65nC Qg

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IRFH5010TR2PBF PDF參數資料

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中文參數如下：

工廠包裝數量：400
上升時間：12 ns
功率耗散：3.6 W
柵極電荷 Qg：65 nC
正向跨導 gFS（最大值/最小值）：206 S
下降時間：8.6 ns
包裝形式：Reel
封裝形式：PQFN
安裝風格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 150 C
配置：Single
電阻汲極/源極 RDS（導通）：9 mOhms
漏極連續電流：13 A
閘/源擊穿電壓：20 V
汲極/源極擊穿電壓：100 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：是
制造商：International Rectifier

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