IRFHE4250DTRPBF

廠家：: Infineon Technologies
封裝：: 32-PQFN（6x6）
數量：: 2466
說明：: MOSFET 2N-CH 25V 86A/303A PQFN

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IRFHE4250DTRPBF PDF參數資料

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中文參數如下：
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封裝封裝/外殼：32-PowerWFQFN
安裝類型：表面貼裝型
工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）
功率 - 最大值：156W
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）：1735pF @ 13V
不同 Vgs 時柵極電荷?(Qg)（最大值）：20nC @ 4.5V
不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）：2.1V @ 35μA
不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值）：2.75 毫歐 @ 27A，10V
25°C 時電流 - 連續漏極 (Id)：86A，303A
漏源電壓（Vdss）：25V
FET 功能：邏輯電平門
配置：2 N-通道（雙）
技術：MOSFET（金屬氧化物）
產品狀態：停產
包裝：FASTIRFET?
系列：卷帶（TR）,剪切帶（CT）,Digi-Reel? 得捷定制卷帶
品牌：Infineon Technologies

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