中文參數如下:
工廠包裝數量:800
功率耗散:3.13 W
包裝形式:Reel
封裝形式:TO-263
安裝風格:SMD/SMT
電阻汲極/源極 RDS(導通):2 Ohms
漏極連續電流:2.8 A
閘/源擊穿電壓:+/- 30 V
汲極/源極擊穿電壓:250 V
晶體管極性:N-Channel
RoHS:是
產品種類:MOSFET
制造商:Fairchild Semiconductor
以上是IRFW614BTM_FP001的詳細信息,包括IRFW614BTM_FP001廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!