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IRLML6402TRPBF-1

廠家：: Infineon Technologies
封裝：: Micro3?/SOT-23
數(shù)量：: 3618
說明：: MOSFET P-CH 20V 3.7A SOT23

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IRLML6402TRPBF-1 PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：
：-55°C ~ 150°C（TJ）
功率耗散（最大值）：1.3W（Ta）
FET 功能：-
不同 Vds 時(shí)輸入電容 (Ciss)（最大值）：633 pF @ 10 V
Vgs（最大值）：±12V
不同 Vgs 時(shí)柵極電荷?(Qg)（最大值）：12 nC @ 5 V
不同 Id 時(shí) Vgs(th)（最大值）：1.2V @ 250μA
不同 Id、Vgs 時(shí)導(dǎo)通電阻（最大值）：65 毫歐 @ 3.7A，4.5V
驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：2.5V，4.5V
25°C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id)：3.7A（Ta）
漏源電壓（Vdss）：20 V
技術(shù)：MOSFET（金屬氧化物）
FET 類型：P 通道
產(chǎn)品狀態(tài)：停產(chǎn)
包裝：HEXFET?
系列：卷帶（TR）
品牌：Infineon Technologies

以上是IRLML6402TRPBF-1的詳細(xì)信息，包括IRLML6402TRPBF-1廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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