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中文參數如下:
工廠包裝數量:50
功率耗散:345 W
包裝形式:Tube
封裝形式:TO-263AB
安裝風格:SMD/SMT
電阻汲極/源極 RDS(導通):0.0019 Ohms
漏極連續電流:75 A
閘/源擊穿電壓:+/- 20 V
汲極/源極擊穿電壓:30 V
晶體管極性:N-Channel
RoHS:是
產品種類:MOSFET
制造商:Fairchild Semiconductor
以上是ISL9N302AS3的詳細信息,包括ISL9N302AS3廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!