ISP13DP06NMSATMA1

廠家：: Infineon Technologies
封裝：: PG-SOT223
數(shù)量：: 1557
說明：: MOSFET P-CH 60V SOT223

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ISP13DP06NMSATMA1 PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：
：-
功率耗散（最大值）：-
FET 功能：-
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）：-
Vgs（最大值）：-
不同 Vgs 時柵極電荷?(Qg)（最大值）：-
不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）：-
不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值）：-
驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：-
25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)：2.8A（Ta）
漏源電壓（Vdss）：60 V
技術(shù)：MOSFET（金屬氧化物）
FET 類型：P 通道
產(chǎn)品狀態(tài)：在售
包裝：OptiMOS?
系列：卷帶（TR）,剪切帶（CT）,Digi-Reel? 得捷定制卷帶
品牌：Infineon Technologies

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