IXBA16N170AHV-TRL

廠家：: IXYS
封裝：: TO-263HV
數(shù)量：: 7713
說明：: DISC IGBT BIMOSFET-HIGH VOLT TO-

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IXBA16N170AHV-TRL PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：
封裝封裝/外殼：TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB
安裝類型：表面貼裝型
工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）
反向恢復(fù)時間 (trr)：360 ns
測試條件：1360V，10A，10 歐姆，15V
25°C 時 Td（開/關(guān)）值：15ns/160ns
柵極電荷：65 nC
輸入類型：標(biāo)準(zhǔn)
開關(guān)能量：1.2mJ（關(guān)）
功率 - 最大值：150 W
不同?Vge、Ic 時?Vce(on)（最大值）：6V @ 15V，10A
電流 - 集電極脈沖 (Icm)：40 A
電流 - 集電極 (Ic)（最大值）：16 A
電壓 - 集射極擊穿（最大值）：1700 V
IGBT 類型：-
產(chǎn)品狀態(tài)：在售
包裝：BIMOSFET?
系列：卷帶（TR）
品牌：IXYS

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