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中文參數(shù)如下:
典型關閉延遲時間:65 ns
工廠包裝數(shù)量:50
上升時間:27 ns
功率耗散:200 W
最小工作溫度:- 55 C
正向跨導 gFS(最大值/最小值) :13 s
下降時間:20 ns
包裝形式:Tube
封裝形式:TO-263
安裝風格:SMD/SMT
最大工作溫度:+ 150 C
配置:Single
電阻汲極/源極 RDS(導通):0.5 Ohms
漏極連續(xù)電流:12 A
閘/源擊穿電壓:+/- 30 V
汲極/源極擊穿電壓:500 V
晶體管極性:N-Channel
RoHS:是
產(chǎn)品種類:MOSFET
制造商:IXYS
以上是IXFA12N50P的詳細信息,包括IXFA12N50P廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!