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IXFH18N100Q3

廠家：
  Ixys
封裝：
 TO-247-3
數量：
 5790  
說明：
 MOSFET Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 1000V/18A
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IXFH18N100Q3-TO-247-3圖片

IXFH18N100Q3 PDF參數資料

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中文參數如下：

典型關閉延遲時間：40 ns
上升時間：33 ns
功率耗散：830 W
柵極電荷 Qg：90 nC
正向跨導 gFS（最大值/最小值） ：16 S
下降時間：13 ns
包裝形式：Tube
封裝形式：TO-247
安裝風格：Through Hole
最大工作溫度：+ 150 C
配置：Single
電阻汲極/源極 RDS（導通）：660 mOhms
漏極連續電流：18 A
閘/源擊穿電壓：30 V
汲極/源極擊穿電壓：1000 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：是
制造商：IXYS

以上是IXFH18N100Q3的詳細信息，包括IXFH18N100Q3廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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