IXFN320N17T2

廠家：: Ixys
封裝：: SOT-227B
數(shù)量：: 4968
說明：: 功率驅(qū)動(dòng)器IC GigaMOS Trench T2 HiperFET PWR MOSFET

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IXFN320N17T2 PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：

商標(biāo)名：TrenchT2 GigaMOS
輸出電壓：170 V
輸出電流：260 A
輸出端數(shù)量：1
激勵(lì)器數(shù)量：Single
最小工作溫度：- 55 C
最大開啟延遲時(shí)間：46 ns
最大關(guān)閉延遲時(shí)間：115 ns
包裝形式：Tube
封裝形式：SOT-227B
安裝風(fēng)格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 175 C
最大功率耗散：1070 W
電源電流：100 A
下降時(shí)間：230 ns
上升時(shí)間：170 ns
類型：GigaMOS Trench T2 HiperFet
產(chǎn)品：MOSFET Gate Drivers
RoHS：是
制造商：IXYS

以上是IXFN320N17T2的詳細(xì)信息，包括IXFN320N17T2廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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