IXTQ26N50P

廠家：: Ixys
封裝：: TO-3P-3，SC-65-3
數(shù)量：: 4100
說明：: MOSFET 26.0 Amps 500 V 0.23 Ohm Rds

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IXTQ26N50P PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：

典型關閉延遲時間：58 ns
工廠包裝數(shù)量：30
上升時間：25 ns
功率耗散：400 W
最小工作溫度：- 55 C
正向跨導 gFS（最大值/最小值）：31 s
下降時間：20 ns
包裝形式：Tube
封裝形式：TO-3P
安裝風格：Through Hole
最大工作溫度：+ 150 C
配置：Single
電阻汲極/源極 RDS（導通）：0.23 Ohms
漏極連續(xù)電流：26 A
閘/源擊穿電壓：+/- 30 V
汲極/源極擊穿電壓：500 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：是
制造商：IXYS

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