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KSB811OTA_Q

廠家：
  Fairchild Semiconductor
封裝：
 TO-92S
數(shù)量：
 3861  
說(shuō)明：
 兩極晶體管 - BJT PNP Epitaxial Transistor
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KSB811OTA_Q-TO-92S圖片

KSB811OTA_Q PDF參數(shù)資料

中文參數(shù)如下：

包裝形式：Ammo
最小工作溫度：- 55 C
最大功率耗散：350 mW
集電極連續(xù)電流：- 1 A
封裝形式：TO-92S
安裝風(fēng)格：Through Hole
最大工作溫度：+ 150 C
直流集電極/Base Gain hfe Min：70 at 100 mA at 1 V
增益帶寬產(chǎn)品fT：110 MHz
最大直流電集電極電流：1 A
集電極—射極飽和電壓：- 25 V
發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO：5 V
集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO：- 25 V
集電極—基極電壓 VCBO：- 30 V
晶體管極性：PNP
配置：Single
RoHS：否
制造商：Fairchild Semiconductor

以上是KSB811OTA_Q的詳細(xì)信息，包括KSB811OTA_Q廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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