中文參數如下:
最小工作溫度:- 55 C
發射極 - 基極電壓 VEBO:5 V
最大工作溫度:+ 150 C
功率耗散:1.75 W
集電極連續電流:10 A
集電極—發射極最大電壓 VCEO:60 V
最大工作頻率:2 MHz
直流集電極/Base Gain hfe Min:20
封裝形式:IPAK-3
安裝風格:Through Hole
晶體管極性:NPN
配置:Single
RoHS:否
制造商:Fairchild Semiconductor
以上是KSH3055I的詳細信息,包括KSH3055I廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!