KST4124MTF_Q

廠家：: Fairchild Semiconductor
封裝：: SOT-23
數(shù)量：: 8082
說明：: 兩極晶體管 - BJT NPN Si Transistor Epitaxial

一、本商品被瀏覽0次.

KST4124MTF_Q PDF參數(shù)資料

中文參數(shù)如下：

包裝形式：Reel
最大功率耗散：350 mW
集電極連續(xù)電流：- 0.2 A
封裝形式：SOT-23
安裝風格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 150 C
直流集電極/Base Gain hfe Min：120 at 2 mA at 1 V
增益帶寬產(chǎn)品fT：300 MHz
最大直流電集電極電流：0.2 A
集電極—射極飽和電壓：- 25 V
發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO：5 V
集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO：- 25 V
集電極—基極電壓 VCBO：- 25 V
晶體管極性：PNP
配置：Single
RoHS：否
制造商：Fairchild Semiconductor

以上是KST4124MTF_Q的詳細信息，包括KST4124MTF_Q廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

其他晶體管產(chǎn)品：

達林頓晶體管 JFET IGBT 晶體管開關(guān)晶體管 - 偏壓電阻器 IGBT 模塊

兩極晶體管 - BJT 最新產(chǎn)品：