KST5086MTF_Q

廠家：: Fairchild Semiconductor
封裝：: SOT-23
數量：: 10348
說明：: 兩極晶體管 - BJT PNP Si Transistor Epitaxial

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KST5086MTF_Q PDF參數資料

中文參數如下：

包裝形式：Reel
最大功率耗散：350 mW
直流電流增益 hFE 最大值：500
集電極連續電流：- 0.05 A
封裝形式：SOT-23
安裝風格：SMD/SMT
直流集電極/Base Gain hfe Min：150
增益帶寬產品fT：40 MHz
最大直流電集電極電流：0.05 A
集電極—射極飽和電壓：- 50 V
發射極 - 基極電壓 VEBO：- 3 V
集電極—發射極最大電壓 VCEO：- 50 V
集電極—基極電壓 VCBO：- 50 V
晶體管極性：PNP
配置：Single
RoHS：否
產品種類：兩極晶體管 - BJT
制造商：Fairchild Semiconductor

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