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KST63MTF_Q

廠家:
  Fairchild Semiconductor
封裝:
 SOT-23
數量:
 8208  
說明:
 達林頓晶體管 PNP Si Transistor Epitaxial
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KST63MTF_Q PDF參數資料

中文參數如下:

直流集電極/Base Gain hfe Min:5000
集電極連續電流:- 0.5 A
包裝形式:Reel
封裝形式:SOT-23
安裝風格:SMD/SMT
功率耗散:350 mW
最大集電極截止電流:0.1 uA
最大直流電集電極電流:0.5 A
集電極—基極電壓 VCBO:30 V
發射極 - 基極電壓 VEBO:10 V
集電極—發射極最大電壓 VCEO:30 V
晶體管極性:PNP
配置:Single
RoHS:否
制造商:Fairchild Semiconductor

以上是KST63MTF_Q的詳細信息,包括KST63MTF_Q廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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