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LPV358DR

廠家：
  Texas Instruments
封裝：
 8-SOIC
數(shù)量：
 5562  
說明：
 運(yùn)算放大器 - 運(yùn)放 Dual Low-Voltage Low Power RRO
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LPV358DR-8-SOIC圖片

LPV358DR PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：

電壓增益 dB：100 dB
技術(shù)：BiCMOS
電源電流：20 mA
工廠包裝數(shù)量：2500
最小工作溫度：- 40 C
增益帶寬生成：0.237 MHz
包裝形式：Reel
最大工作溫度：+ 85 C
關(guān)閉：No
轉(zhuǎn)換速度：0.1 V/us
封裝形式：SOIC-8
安裝風(fēng)格：SMD/SMT
工作電源電壓：2.7 V to 5 V
輸入偏流（最大值）：50 nA
輸入補(bǔ)償電壓：7 mV
共模抑制比（最小值）：50 dB
通道數(shù)量：2
RoHS：是
產(chǎn)品種類：運(yùn)算放大器 - 運(yùn)放
制造商：Texas Instruments

以上是LPV358DR的詳細(xì)信息，包括LPV358DR廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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