中文參數如下:
工廠包裝數量:1000
包裝形式:Reel
最大功率耗散:2000 mW
封裝形式:D2PAK
安裝風格:SMD/SMT
最大工作溫度:+ 150 C
直流集電極/Base Gain hfe Min:25
最大直流電集電極電流:3 A
發射極 - 基極電壓 VEBO:5 V
集電極—發射極最大電壓 VCEO:80 V
集電極—基極電壓 VCBO:80 V
晶體管極性:PNP
RoHS:否
制造商:STMicroelectronics
以上是MJB32BT4的詳細信息,包括MJB32BT4廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!