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MJD29CITU

廠家:
  Fairchild Semiconductor
封裝:
 IPAK
數(shù)量:
 5877  
說(shuō)明:
 兩極晶體管 - BJT
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MJD29CITU-IPAK圖片

MJD29CITU PDF參數(shù)資料

中文參數(shù)如下:

包裝形式:Rail
最小工作溫度:- 65 C
最大功率耗散:1560 mW
封裝形式:IPAK
安裝風(fēng)格:Through Hole
最大工作溫度:+ 150 C
直流集電極/Base Gain hfe Min:40 at 0.2 A at 4 V
增益帶寬產(chǎn)品fT:3 MHz
最大直流電集電極電流:1 A
發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:5 V
集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:100 V
集電極—基極電壓 VCBO:100 V
晶體管極性:NPN
配置:Single
RoHS:否
制造商:Fairchild Semiconductor

以上是MJD29CITU的詳細(xì)信息,包括MJD29CITU廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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