三浦惠理子jux240久久 - 他在车里撞了我八次主角是谁

首頁 > 電子元件分類 > 半導體 > 分離式半導體 > 晶體管 > 兩極晶體管 - BJT > MJD32BT4

MJD32BT4

廠家：: STMicroelectronics
封裝：: TO-252
數量：: 4554
說明：: 兩極晶體管 - BJT PNP Gen Pur Switch

一、本商品被瀏覽0次.

MJD32BT4 PDF參數資料

中文參數如下：

工廠包裝數量：2500
包裝形式：Reel
最大功率耗散：15000 mW
封裝形式：TO-252
安裝風格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 150 C
直流集電極/Base Gain hfe Min：25
最大直流電集電極電流：3 A
發射極 - 基極電壓 VEBO：5 V
集電極—發射極最大電壓 VCEO：80 V
集電極—基極電壓 VCBO：80 V
晶體管極性：NPN/PNP
RoHS：否
制造商：STMicroelectronics

以上是MJD32BT4的詳細信息，包括MJD32BT4廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

其他晶體管產品：

達林頓晶體管 JFET IGBT 晶體管開關晶體管 - 偏壓電阻器 IGBT 模塊

兩極晶體管 - BJT 最新產品：