MMBT5770_Q

廠家：: Fairchild Semiconductor
封裝：: SOT-23
數(shù)量：: 3447
說(shuō)明：: 兩極晶體管 - BJT NPN RF Transistor

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MMBT5770_Q PDF參數(shù)資料

中文參數(shù)如下：

包裝形式：Reel
最小工作溫度：- 55 C
最大功率耗散：225 mW
集電極連續(xù)電流：0.09 A
封裝形式：SOT-23
安裝風(fēng)格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 150 C
直流集電極/Base Gain hfe Min：30 at 3 mA at 1 V
增益帶寬產(chǎn)品fT：600 MHz
最大直流電集電極電流：0.001 A
集電極—射極飽和電壓：15 V
發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO：4.5 V
集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO：15 V
集電極—基極電壓 VCBO：30 V
晶體管極性：NPN
配置：Single
RoHS：否
制造商：Fairchild Semiconductor

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