MMBTH10RG

廠家：: Fairchild Semiconductor
封裝：: SOT-23-3
數(shù)量：: 3141
說明：: 射頻雙極小信號晶體管 NPN RF Transistor

一、本商品被瀏覽0次.

MMBTH10RG PDF參數(shù)資料

點擊下載PDF參數(shù)資料
中文參數(shù)如下：

工廠包裝數(shù)量：3000
安裝風格：SMD/SMT
最小工作溫度：- 55 C
增益帶寬產(chǎn)品fT：450 MHz (Min)
直流電流增益 hFE 最大值：120
包裝形式：Reel
封裝形式：SOT-23
最大工作溫度：+ 150 C
直流集電極/Base Gain hfe Min：50
功率耗散：225 mW
集電極連續(xù)電流：0.045 A
發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO：4 V
集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO：40 V
最大工作頻率：450 MHz
晶體管極性：NPN
配置：Single
RoHS：是
產(chǎn)品種類：射頻雙極小信號晶體管
制造商：Fairchild Semiconductor

以上是MMBTH10RG的詳細信息，包括MMBTH10RG廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

其他晶體管產(chǎn)品：

達林頓晶體管 JFET IGBT 晶體管開關(guān)晶體管 - 偏壓電阻器 IGBT 模塊

兩極晶體管 - BJT 最新產(chǎn)品：