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中文參數(shù)如下：
FET 型MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點(diǎn)邏輯電平門
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C150 毫歐 @ 800mA, 5V
漏極至源極電壓(Vdss)20V
Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）2V @ 1mA
閘電荷(Qg) @ Vgs20nC @ 5V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C1.6A
在 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss) 580pF @ 15V
功率 - 最大800mW
安裝類型表面貼裝

以上是MMFT2N02ELT1的詳細(xì)信息，包括MMFT2N02ELT1廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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