MNS1N6627US/TR

廠家：: Microchip Technology
封裝：: E-MELF
數量：: 7821
說明：: DIODE GEN PURP 440V 1.75A E-MELF

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MNS1N6627US/TR PDF參數資料

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中文參數如下：
封裝工作溫度 - 結封裝：E-MELF
封裝/外殼：SQ-MELF，B
安裝類型：表面貼裝型
不同?Vr、F 時電容：-
不同 Vr 時電流 - 反向泄漏：2 μA @ 440 V
反向恢復時間 (trr)：30 ns
速度：快速恢復 = 200mA（Io）
不同 If 時電壓 - 正向 (Vf)：1.35 V @ 2 A
電流 - 平均整流 (Io)：1.75A
電壓 - DC 反向 (Vr)（最大值）：440 V
技術：標準
產品狀態：在售
包裝：-
系列：卷帶（TR）,剪切帶（CT）,Digi-Reel? 得捷定制卷帶
品牌：Microchip Technology

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