
點擊下載PDF參數資料
中文參數如下:
工廠包裝數量:500
包裝形式:Tube
最小工作溫度:- 65 C
最大功率耗散:2000 mW
封裝形式:TO-116
安裝風格:Through Hole
最大工作溫度:+ 150 C
直流集電極/Base Gain hfe Min:30
增益帶寬產品fT:200 MHz
最大直流電集電極電流:0.5 A
集電極—射極飽和電壓:30 V
發射極 - 基極電壓 VEBO:5 V
集電極—發射極最大電壓 VCEO:30 V
集電極—基極電壓 VCBO:60 V
晶體管極性:NPN/PNP
RoHS:過渡期間
產品種類:兩極晶體管 - BJT
制造商:Central Semiconductor
以上是MPQ6502的詳細信息,包括MPQ6502廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!