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中文參數如下:
安裝風格:Through Hole
最小工作溫度:- 65 C
包裝形式:Tray
封裝形式:TO-92
最大工作溫度:+ 200 C
直流集電極/Base Gain hfe Min:50
功率耗散:2.5 W
集電極連續電流:200 mA
發射極 - 基極電壓 VEBO:2.5 V
集電極—發射極最大電壓 VCEO:17 V
最大工作頻率:500 MHz
晶體管極性:NPN
RoHS:是
制造商:Advanced Semiconductor, Inc.
以上是MRF586的詳細信息,包括MRF586廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!