
點(diǎn)擊下載PDF參數(shù)資料
中文參數(shù)如下:
:-55°C ~ 175°C(TJ)
功率耗散(最大值):357W(Tc)
FET 功能:-
不同 Vds 時(shí)輸入電容 (Ciss)(最大值):5280 pF @ 1000 V
Vgs(最大值):+22V,-10V
不同 Vgs 時(shí)柵極電荷?(Qg)(最大值):249 nC @ 20 V
不同 Id 時(shí) Vgs(th)(最大值):2.7V @ 4.5mA(標(biāo)準(zhǔn))
不同 Id、Vgs 時(shí)導(dǎo)通電阻(最大值):22 毫歐 @ 40A,20V
驅(qū)動(dòng)電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):20V
25°C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id):100A(Tc)
漏源電壓(Vdss):1200 V
技術(shù):SiCFET(碳化硅)
FET 類型:N 通道
產(chǎn)品狀態(tài):在售
包裝:-
系列:散裝
品牌:Microchip Technology
以上是MSC017SMA120S的詳細(xì)信息,包括MSC017SMA120S廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!