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中文參數(shù)如下:
:
封裝封裝/外殼:模塊
安裝類型:底座安裝
工作溫度:-40°C ~ 175°C(TJ)
功率 - 最大值:245W(Tc)
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)(最大值):1990pF @ 1000V
不同 Vgs 時柵極電荷?(Qg)(最大值):137nC @ 20V
不同 Id 時 Vgs(th)(最大值):2.7V @ 1mA
不同 Id、Vgs 時導通電阻(最大值):50 毫歐 @ 40A,20V
25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id):55A(Tc)
漏源電壓(Vdss):1200V(1.2kV)
FET 功能:-
配置:2 N 溝道(相角)
技術:碳化硅(SiC)
產品狀態(tài):在售
包裝:-
系列:散裝
品牌:Microchip Technology
以上是MSCSM120AM50T1AG的詳細信息,包括MSCSM120AM50T1AG廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!