MSQ1PGHM3/H

廠家：: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
封裝：: MicroSMP（DO-219AD）
數(shù)量：: 7650
說明：: DIODE GEN PURP 400V 1A MICROSMP

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MSQ1PGHM3/H PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：
封裝工作溫度 - 結封裝：MicroSMP（DO-219AD）
封裝/外殼：MicroSMP
安裝類型：表面貼裝型
不同?Vr、F 時電容：4pF @ 4V，1MHz
不同 Vr 時電流 - 反向泄漏：1 μA @ 400 V
反向恢復時間 (trr)：650 ns
速度：標準恢復 >500ns，> 200mA（Io）
不同 If 時電壓 - 正向 (Vf)：1.2 V @ 1 A
電流 - 平均整流 (Io)：1A
電壓 - DC 反向 (Vr)（最大值）：400 V
技術：標準
產(chǎn)品狀態(tài)：在售
包裝：Automotive, AEC-Q101, eSMP?
系列：卷帶（TR）,剪切帶（CT）,Digi-Reel? 得捷定制卷帶
品牌：Vishay General Semiconductor - Diodes Division

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