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中文參數(shù)如下:
FET 型MOSFET P 通道,金屬氧化物
FET 特點標(biāo)準(zhǔn)型
開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C120 毫歐 @ 11.5A, 10V
漏極至源極電壓(Vdss)60V
Id 時的 Vgs(th)(最大)4V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs50nC @ 10V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C23A
在 Vds 時的輸入電容(Ciss) 1620pF @ 25V
功率 - 最大90W
安裝類型表面貼裝
以上是MTB23P06VT4的詳細(xì)信息,包括MTB23P06VT4廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!