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NCV33152DR2G

廠家：
  ON Semiconductor
封裝：
 8-SOIC
數(shù)量：
 1431  
說(shuō)明：
  功率驅(qū)動(dòng)器IC 1.5A High Speed Dual Non-Inverting MOSFET
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NCV33152DR2G-8-SOIC圖片

NCV33152DR2G PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：

工廠包裝數(shù)量：2500
輸出端數(shù)量：2
激勵(lì)器數(shù)量：2
最小工作溫度：- 40 C
配置：Non-Inverting
包裝形式：Reel
封裝形式：SOIC-8
安裝風(fēng)格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 125 C
最大功率耗散：560 mW
電源電流：10.5 mA
電源電壓-最小：6.5 V
下降時(shí)間：32 ns
上升時(shí)間：36 ns
類型：High Speed
RoHS：是
產(chǎn)品種類： 功率驅(qū)動(dòng)器IC
制造商：ON Semiconductor

以上是NCV33152DR2G的詳細(xì)信息，包括NCV33152DR2G廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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