中文參數如下:
典型關閉延遲時間:28 ns
工廠包裝數量:3000
上升時間:25 ns
功率耗散:1600 mW
最小工作溫度:- 55 C
下降時間:25 ns
包裝形式:Reel
封裝形式:SuperSOT-6
安裝風格:SMD/SMT
最大工作溫度:+ 150 C
配置:Single Triple Drain Dual Source
漏極連續電流:4.1 A
閘/源擊穿電壓:8 V
汲極/源極擊穿電壓:20 V
晶體管極性:N-Channel
RoHS:是
產品種類:MOSFET
制造商:Fairchild Semiconductor
以上是NDC631N_F095的詳細信息,包括NDC631N_F095廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!