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中文參數(shù)如下:
上升時間:15 ns
功率耗散:83 W
最小工作溫度:- 55 C
柵極電荷 Qg:18.5 nC
正向跨導(dǎo) gFS(最大值/最小值) :3.5 S
下降時間:14 ns
包裝形式:Rail
封裝形式:IPAK
安裝風(fēng)格:Through Hole
最大工作溫度:+ 150 C
配置:Single
電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):1.25 Ohms
漏極連續(xù)電流:4.7 A
閘/源擊穿電壓:30 V
汲極/源極擊穿電壓:500 V
晶體管極性:N-Channel
RoHS:是
制造商:ON Semiconductor
以上是NDD05N50Z-1G的詳細(xì)信息,包括NDD05N50Z-1G廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!