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NDH8521C

廠家：
  Fairchild Semiconductor
封裝：
 SuperSOT-8
數量：
 1638  
說明：
 MOSFET DISC BY MFG 2/02
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NDH8521C-SuperSOT-8圖片

NDH8521C PDF參數資料

中文參數如下：

典型關閉延遲時間：20 nS, 35 nS
工廠包裝數量：3000
上升時間：15 nS, 16 nS
功率耗散：800 mW
最小工作溫度：- 55 C
下降時間：15 nS, 16 nS
包裝形式：Reel
封裝形式：SuperSOT-8
安裝風格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 150 C
配置：Dual Dual Drain
漏極連續電流：3.8 A, - 2.7 A
閘/源擊穿電壓：+/- 20 V
汲極/源極擊穿電壓：30 V
晶體管極性：N and P-Channel
RoHS：否
制造商：Fairchild Semiconductor

以上是NDH8521C的詳細信息，包括NDH8521C廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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