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中文參數如下:
安裝風格:SMD/SMT
封裝形式:M03
直流集電極/Base Gain hfe Min:145
功率耗散:0.125 W
集電極連續電流:0.1 A
發射極 - 基極電壓 VEBO:3 V
集電極—發射極最大電壓 VCEO:12 V
最大工作頻率:4 GHz
晶體管極性:NPN
配置:Single
RoHS:是
產品種類:射頻雙極小信號晶體管
制造商:CEL
以上是NE856M03-A的詳細信息,包括NE856M03-A廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!