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NGTB15N60S1EG

廠家：
  ON Semiconductor
封裝：
 TO-220AB
數量：
 234  
說明：
 IGBT 晶體管 15A 600V IGBT
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NGTB15N60S1EG-TO-220AB圖片

NGTB15N60S1EG PDF參數資料

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中文參數如下：

安裝風格：Through Hole
包裝形式：Tube
封裝形式：TO-220
功率耗散：47 W
柵極—射極漏泄電流：100 nA
在25 C的連續集電極電流：30 A
柵極/發射極最大電壓：20 V
集電極—射極飽和電壓：1.7 V
集電極—發射極最大電壓 VCEO：600 V
RoHS：是
制造商：ON Semiconductor

以上是NGTB15N60S1EG的詳細信息，包括NGTB15N60S1EG廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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