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中文參數(shù)如下: 典型關(guān)閉延遲時間:2.5 us 工廠包裝數(shù)量:75 上升時間:500 ns 功率耗散:1.74 W 最小工作溫度:- 55 C 正向跨導(dǎo) gFS(最大值/最小值) :24 S 下降時間:1800 ns 包裝形式:Tube 封裝形式:DPAK 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 最大工作溫度:+ 175 C 配置:Single 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.09 Ohms 漏極連續(xù)電流:9 A 閘/源擊穿電壓:+/- 15 V 汲極/源極擊穿電壓:52 V 晶體管極性:N-Channel RoHS:是 產(chǎn)品種類:MOSFET 制造商:ON Semiconductor