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NIMD6302R2

廠家：: ON Semiconductor
封裝：: SOIC-8
數(shù)量：: 8316
說明：: MOSFET NFET S08D 30V .050R

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NIMD6302R2 PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：

典型關(guān)閉延遲時間：35.9 ns, 66.5 ns
工廠包裝數(shù)量：2500
上升時間：56.5 ns, 2.7 ns
功率耗散：1.3 W
正向跨導(dǎo) gFS（最大值/最小值）：19.8 S
下降時間：56.5 ns, 2.7 ns
包裝形式：Reel
封裝形式：SOIC-8
安裝風(fēng)格：SMD/SMT
配置：Dual
電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）：0.05 Ohms
漏極連續(xù)電流：6.5 A
閘/源擊穿電壓：+/- 16 V
汲極/源極擊穿電壓：30 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：否
產(chǎn)品種類：MOSFET
制造商：ON Semiconductor

以上是NIMD6302R2的詳細(xì)信息，包括NIMD6302R2廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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