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中文參數如下:
包裝形式:Reel
最大功率耗散:357 mW
直流電流增益 hFE 最大值:80 at 5 mA at 10 V at NPN
集電極連續電流:0.1 A
封裝形式:SOT-553-5
安裝風格:SMD/SMT
直流集電極/Base Gain hfe Min:80 at 5mA at 10V
集電極—射極飽和電壓:50 V
集電極—發射極最大電壓 VCEO:50 V
集電極—基極電壓 VCBO:50 V
晶體管極性:PNP
配置:Dual
RoHS:否
產品種類:兩極晶體管 - BJT
制造商:ON Semiconductor
以上是NSTB1005DXV5T1的詳細信息,包括NSTB1005DXV5T1廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!