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NTD18N06-1G

廠家：
  ON Semiconductor
封裝：
 I-PAK
數量：
 576  
說明：
 MOSFET 60V 18A N-Channel
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NTD18N06-1G-I-PAK圖片

NTD18N06-1G PDF參數資料

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中文參數如下：

典型關閉延遲時間：19 ns
工廠包裝數量：75
上升時間：23 ns
功率耗散：55 W
最小工作溫度：- 55 C
正向跨導 gFS（最大值/最小值） ：10.1 S
下降時間：20 ns
包裝形式：Tube
封裝形式：DPAK-3
安裝風格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 175 C
配置：Single
電阻汲極/源極 RDS（導通）：0.051 Ohms
漏極連續電流：18 A
閘/源擊穿電壓：+/- 20 V
汲極/源極擊穿電壓：60 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：是
產品種類：MOSFET
制造商：ON Semiconductor

以上是NTD18N06-1G的詳細信息，包括NTD18N06-1G廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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