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NTD23N03R-1G

廠家：
  ON Semiconductor
封裝：
 I-PAK
數量：
 909  
說明：
 MOSFET 25V 23A N-Channel
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NTD23N03R-1G-I-PAK圖片

NTD23N03R-1G PDF參數資料

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中文參數如下：

典型關閉延遲時間：9.9 ns
工廠包裝數量：75
上升時間：14.9 ns
功率耗散：16.4 W
最小工作溫度：- 55 C
正向跨導 gFS（最大值/最小值） ：13 S
下降時間：2 ns
包裝形式：Tube
封裝形式：DPAK-SL
安裝風格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 150 C
配置：Single
電阻汲極/源極 RDS（導通）：0.032 Ohms
漏極連續電流：23 A
閘/源擊穿電壓：+/- 20 V
汲極/源極擊穿電壓：25 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：是
產品種類：MOSFET
制造商：ON Semiconductor

以上是NTD23N03R-1G的詳細信息，包括NTD23N03R-1G廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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